英飞凌推出全新62mm封装CoolSiC产物组合助力完成更高服从和功率密度
(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)克日颁布发表其CoolSiC 1200V和2000V,接纳成熟的62mm封装的半桥模块。该封装使SiC MOSFET可以使用于250kW以上的中等功率品级使用,而传统硅手艺在这一功率品级使用的的功率密度已达极限值。比拟传统的62mm IGBT模块,其使用范畴现已扩大至太阳能、效劳器、储能、电动汽车
加强型M1H芯片手艺明显拓宽了栅极电压窗口,即便在高开关频次下,不需任何限定,也能确保栅极应对驱动器和规划惹起的感到电压尖峰时的高牢靠性。别的,极低的开关消耗和导通消耗能够最大限度地低落散热需求。2000V的电压品级,满意当代体系设想中的高耐压请求。借助英飞凌CoolSiC芯片手艺,变更器的设想能够变得更有用率,单个逆变器的额定功率得以进一步进步,从而低落团体体系本钱。
62mm接纳铜基板设想和螺母功率端子平博pinnacle体育平台,该封装是高鲁棒性的构造设想,可进步体系可用性、低落效劳本钱和削减停机丧失。经由过程壮大的温度周次才能和150°C的持续运转结温(Tvjop)完成超卓的牢靠性。其对称的内部封装设想使得桥臂中高低管具有不异的开关前提。能够选装预涂热界面质料(TIM),进一步进步模块的热机能。
的需求还是有增无减。硅电源手艺范畴的立异曾一度大幅缩减这些使用的尺寸,但却很难更进一步。在现有尺寸
的需求还是有增无减。硅电源手艺范畴的立异曾一度大幅缩减这些使用的尺寸,但却很难更进一步。在现有尺寸
和轻量化的谐振转换器参考设想。此设想将 390V 输入转换为 48V/1kW 输出。PMP20637
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