1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新产业尺度封装产物。其接纳成熟的62 mm器件半桥拓扑设想并基于新推出的加强型M1H碳化硅（SiC）MOSFET手艺。该封装使SiC可以使用于250 kW以上的中等功率品级使用，而传统IGBT硅手艺在这一功率品级使用的的功率密度已达极限值。比拟传统的62mm IGBT模块，其使用范畴现已扩大至太阳能、效劳器、储能、电动汽车充电桩、牵引、商用感到电磁炉和功率转换体系等。

　　加强型M1H手艺可以明显拓宽栅极电压窗口，即便在高开关频次下平博pinnacle体育平台，不需任何限定，也能确保栅极应对驱动器和规划惹起的感到电压尖峰的高牢靠性。别的，极低的开关消耗和传输消耗能够最大限度地低落冷却需求。分离高反向电压平博pinnacle体育平台，这些半导体器件还可满意当代体系设想的另外一项请求。借助TM芯片手艺，转换器的设想能够变得更有用率，单个逆变器的额定功率得以进一步进步，从而低落团体体系本钱。

　　装备铜基板和罗纹接口，该封装具有高鲁棒性的机器设想，可进步体系可用性、低落效劳本钱和削减停机丧失。经由过程壮大的热轮回才能和150°C的持续运转结温（Tvjop）完成超卓的牢靠性。其对称的内部封装设想使得高低开关具有不异的开关前提。能够选装预涂热界面质料（TIM），进一步进步模块的热机能。

　　接纳62mm封装的1200 V CoolSiC MOSFET有5 mΩ/180 A、2 mΩ/420 A和1 mΩ/560 A三种型号可供挑选。2000V产物组合将包罗4mΩ/300A和3mΩ/400A两种型号。1200V/3mΩ和2000V/5mΩ型号将于2024年一季度推出。它另有专为快速特征评价（双脉冲/持续事情）设想的评价板可供挑选。为了便于利用，该评价板还供给可灵敏调解的栅极电压和栅极电阻，同时还可作为批量消费驱动板的参考设想利用。